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意法半導體新推(tui)出的SLLIMM?-nano智能(neng)功率(lv)模(mo)塊(IPM)引入(ru)新的封裝類型，并(bing)集成(cheng)更(geng)多元器(qi)件，加快300W以下(xia)低(di)功率(lv)電(dian)機驅(qu)動器(qi)研(yan)發，簡化組裝過(guo)程(cheng)。

3A和(he)5A 模塊內(nei)置(zhi)當前*********的600V超結MOSFET，最大(da)限度提升空(kong)氣壓(ya)縮機(ji)、風扇、泵等設備的能效(xiao)。各種直列引(yin)腳或Z形引(yin)腳封裝(zhuang)有助于優化空(kong)間占用率，確保所需的引(yin)腳間距(ju)。內(nei)部開孔選項讓低(di)價(jia)散(san)熱器的安裝(zhuang)更容易(yi)。此外，發射極開路(lu)(lu)輸出分(fen)開設計可簡(jian)化PCB板單路(lu)(lu)或三(san)路(lu)(lu)Shunt (分(fen)流電阻)電流監視走(zou)線。

每個IPM模(mo)塊都(dou)包(bao)含由(you)六支MOSFET組成的三(san)相半橋和一個高壓柵(zha)驅動芯片。新增功(gong)(gong)能有助于(yu)簡(jian)化(hua)保護電(dian)(dian)(dian)路(lu)和防(fang)錯電(dian)(dian)(dian)路(lu)設計，包(bao)括(kuo)一個用(yong)于(yu)檢測電(dian)(dian)(dian)流的未使用(yong)的運放、用(yong)于(yu)高速錯誤(wu)保護電(dian)(dian)(dian)路(lu)的比(bi)較器和用(yong)于(yu)監視(shi)溫度(du)(du)的可選(xuan)的NTC (負(fu)溫度(du)(du)系(xi)數)熱敏(min)電(dian)(dian)(dian)阻，還集成一個自舉二(er)極管(guan)，以降低物料(liao)清單(BOM)成本，簡(jian)化(hua)電(dian)(dian)(dian)路(lu)板布局設計。智能關斷電(dian)(dian)(dian)路(lu)可保護功(gong)(gong)率開(kai)關管(guan)，欠壓鎖保護(UVLO)預防(fang)低Vcc或Vboot電(dian)(dian)(dian)壓引起的功(gong)(gong)能失效。

超(chao)結(jie)MOSFET在25°C時通態電(dian)阻只(zhi)有1.0?，最大 1.6? ，低(di)(di)電(dian)容和低(di)(di)柵電(dian)荷可(ke)最大限度(du)降低(di)(di)通態損(sun)耗和開關(guan)損(sun)耗，從而提升(sheng)20kHz以下硬(ying)開關(guan)電(dian)路的(de)能效，包括各種工業電(dian)機驅動(dong)器，準許低(di)(di)功(gong)率應(ying)用無需(xu)使用散熱器。此外，優(you)化(hua)的(de)開關(guan)di/dt和dV/dt上升(sheng)速率確保(bao)EMI干擾處(chu)于(yu)一個(ge)較低(di)(di)的(de)級別，可(ke)以進(jin)一步簡化(hua)電(dian)路的(de)設(she)計布局。

新模塊的最(zui)高額定結(jie)溫是150°C，取得(de)了UL 1557認證，電絕緣級別高達1500Vrms/min。